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三星東芝熱烈爭奪NAND閃存技術領先地位

2007-01-05 10:28 出處：PConline 作者：小米 責任編輯：zhongyuexuan

　　誰是NAND閃存行業的技術領先者呢？對此，日前有業界分析師警告說，這個問題可能沒有答案，原因是在2007年的大部分時間中，廠商們將面對市場供過于求的困境。與此同時，三星電子和東芝兩家公司都借全球首枚60納米以下NAND閃存配件的樣品展示或者量產來證明自己在此領域的領導地位。

　　全球最大NAND閃存供應商三星已經開始了采用50納米技術，用于固態硬盤的16Gbit芯片樣品的試產，三星稱這種產品預計將在2007年第一季度的某個時候開始量產。而全球第二大供應商、日本的東芝公司則悄然完成了56納米NAND閃存設備的試產，預定投產時間是今年一月份。東芝原來的計劃是推出52納米的NAND產品，不過最終修改計劃、轉而設計出56納米產品，原因據其表示是這種技術過于復雜。至于業界其他廠商，包括現代、意法半導體和英特爾/鎂光聯盟等，也在拼命追趕三星和東芝。

　　市場研究公司iSuppli的分析師Nam Hyung Kim認為東芝要稍稍領先于三星。“技術宣布不等于已經生產出樣品，”Kim說。“東芝在60納米以下競賽中要稍稍領先于三星。”

　　Kim表示，這種技術領先地位可能難有定論，原因是預計NAND市場至少在2007年第三季度之前仍將保持供過于求的狀態。“市場在2007年將出現挑戰，”他說。“我們預計供過于求會持續至Q3。到第四季，我們預期會出現短缺。”

　　根據iSuppli的預測，2007年NAND市場總值將達到141.88億美元，比2006年上升17%，而以Bit為單位計算的產量增幅更會達149%，不過平均售價預計今年會下降53%。

　　在2006年里，NAND閃存價格的平均跌幅達到61%。由于這種供過于求的情況持續了一整年，導致部分廠商選擇退出了這個行業，其中包括雷尼薩斯(Renesas Technology)和奇夢達(Qimonda AG)。而在最近一段時間，該市場更陷入困境。“業內每個人都對NAND的價格下跌不高興，”鎂光科技的NAND產品開發副總裁Frankie Roohparvar說。“我們把這看作路上的一次顛簸。”Roohparvar表示，長遠來看，NAND價格的下跌會拉低產品平均售價并開發出多種新應用領域，例如固態硬盤、PC緩存、手機等等。傳統上，NAND閃存主要應用于MP3播放器、U盤和存儲卡上。

　　固態硬盤是NAND閃存一個潛力巨大的新市場。“我們不是說NAND會取代硬盤，”他說。“最大的問題始終是單位容量的成本。但我們在不斷縮小這個差距。”

　　東芝和三星都稱自己是首家突破60納米技術界限的廠商。三星并沒有說明其16Gbit(2GB)存儲芯片是單片產品還是多芯片整合在單一封裝中，但明確表示它是首個采用50納米生產工藝的NAND閃存，將用于生產能連接PC或者手機的外置存儲卡。此外，該芯片的推出預計還將加快基于閃存的固態磁盤等非易失性存儲產品的普及進程，例如在微軟的Vista操作系統中的使用。

　　鎂光和現代等二線廠商同樣沒有放棄追趕這兩家市場領先者。Roohparvar透露，鎂光已經發布了70納米產品，但他們將跳過65納米技術，將精力集中于50納米產品。鎂光目前正在試產50納米SLC型(Single level cell)設備，50納米MLC型(Multi level cell)產品會在2007年中問世。鎂光和英特爾合資成立了一家閃存生產廠，名字是IM Flash。由于起步太遲，這家公司正奮起直追。“我們矢志成為業界市場領導者，”他說。“部分廠商用了六年時間才完成了我們僅花了一年半就完成的工作。”

　　另一方面，為了不被趕超，現代公司預計將在2007年上半年測試60納米NAND設備，50納米配件會在2007年下半年推出。去年，現代和意法半導體在中國無錫的合資工廠開始運作，預計能推高其110nm和90nm內存以及80納米NAND產品的產能。該工廠的設計生產技術極限至少可以達到55納米。
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